绝缘栅双极晶体管

Abstract

本发明的绝缘栅双极晶体管具有第一和第二发射区。在第二导电类型的第一发射区内形成第一导电类型的扩散区。第二发射区具有其浓度高于第二发射区的其余部位的区。该高浓度区与扩散区相邻,并朝向第一导电类型阱的中心定位。此外,高浓度区的结深度与扩散区相同。

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      CN-1036666-AOctober 25, 1989亚瑞亚·勃朗·勃威力有限公司Fiel-effect controllable bipolar-type power semiconductor device and its manufacturing method

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