拉单晶装置

Single crystal drawing device

Abstract

一种拉制硅或砷化镓等半导体单晶的拉单晶装置,包括:气密容器,容器内的坩埚,加热器,和一对在半导体熔化物中施加会交磁场的线圈。一圆筒形隔离体把坩埚分为供应并熔化源材料的外区域和拉单晶的内区域。内外区域在隔离体底部连通。反向电流加于一对线圈,在熔化物内产生会交磁场,该磁场包含相对于坩埚的、定位在连通通道位置的垂直部分,和定位在熔化物表面下的水平部分,可减小熔化物的流速并抑制其对流。获得高质量的半导体单晶。

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Patent Citations (1)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    US-5178720-AJanuary 12, 1993Memc Electronic Materials, Inc.Method for controlling oxygen content of silicon crystals using a combination of cusp magnetic field and crystal and crucible rotation rates

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